本文選題：多晶硅薄膜　切入點(diǎn)：應(yīng)變因子　出處：《物理學(xué)報(bào)》2017年24期

【摘要】：多晶硅薄膜具有良好的壓阻特性,晶粒結(jié)構(gòu)和摻雜濃度決定其壓阻特性.一般通過調(diào)節(jié)摻雜濃度改變壓阻參數(shù),但現(xiàn)有的多晶硅薄膜壓阻系數(shù)與摻雜濃度的理論關(guān)系和適用范圍不夠全面.為了完善多晶硅薄膜壓阻理論,基于多晶硅納米薄膜隧道壓阻模型,以及硅價(jià)帶和空穴電導(dǎo)質(zhì)量隨應(yīng)力改變的機(jī)理,提出了一種p型多晶硅薄膜壓阻系數(shù)算法.該算法分別求取了晶粒中性區(qū)和復(fù)合晶界區(qū)的壓阻系數(shù)π_(11),π_(12)和π_(44)的理論公式,據(jù)此可以計(jì)算任意擇優(yōu)晶向排列多晶硅的縱向和橫向壓阻系數(shù).根據(jù)材料的結(jié)構(gòu)特性,求取了p型多晶硅納米薄膜和普通多晶硅薄膜應(yīng)變因子,繪制了應(yīng)變因子與摻雜濃度的關(guān)系曲線,與測試結(jié)果比較,具有較好的一致性.因此,該算法全面和準(zhǔn)確,對多晶硅薄膜的壓阻特性的改進(jìn)和應(yīng)用具有重要意義.
[Abstract]:Polycrystalline silicon thin films have good piezoresistive properties, and their piezoresistive properties are determined by grain structure and doping concentration. In order to perfect the piezoresistive theory of polycrystalline silicon films, the tunneling piezoresistive model of nanocrystalline polysilicon films is based on the model. As well as the mechanism that the conductivity mass of silicon valence band and hole change with stress, an algorithm for calculating the piezoresistive coefficient of p type polycrystalline silicon thin films is proposed. The theoretical formulas of the piezoresistive coefficients 蟺 _ S _ (11), 蟺 _ T _ (12) and 蟺 _ S _ (44) of grain neutral region and composite grain boundary region are obtained by this algorithm. Based on this, the longitudinal and transverse piezoresistive coefficients of polysilicon with arbitrary preferential orientation can be calculated. According to the structural characteristics of the material, the strain factors of p-type polysilicon nanocrystalline films and ordinary polycrystalline silicon films are obtained. The curve of the relationship between strain factor and doping concentration is drawn, which is in good agreement with the measured results. Therefore, the algorithm is comprehensive and accurate, which is of great significance for the improvement and application of the piezoresistive characteristics of polycrystalline silicon thin films.
【作者單位】： 沈陽化工大學(xué)信息工程學(xué)院;沈陽工業(yè)大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院;
【基金】：遼寧省自然科學(xué)基金指導(dǎo)計(jì)劃(批準(zhǔn)號:20170540718)資助的課題~~
【分類號】：O484

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 趙培文 ,馬靈芝;多晶硅薄膜生長因素的分析[J];大連工學(xué)院學(xué)報(bào);1985年03期

2 吳昊;孟永鋼;蘇才鈞;郭占社;溫詩鑄;;大氣環(huán)境下多晶硅薄膜的疲勞性能[J];機(jī)械強(qiáng)度;2007年06期

3 王紅娟;張帥;;多晶硅薄膜材料與器件研究進(jìn)展[J];南陽師范學(xué)院學(xué)報(bào);2009年03期

4 羅云榮;羊億;彭星煜;李廣;;印刷法制備多晶硅薄膜[J];邵陽學(xué)院學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);2009年01期

5 魏希文,張兆文,王美田;溫度對多晶硅薄膜遷移率的影響[J];大連工學(xué)院學(xué)報(bào);1986年01期

6 張國炳,郝一龍,田大宇,劉詩美,王鐵松,武國英;多晶硅薄膜應(yīng)力特性研究[J];半導(dǎo)體學(xué)報(bào);1999年06期

7 張宇翔,王海燕,陳永生,楊仕娥,郜小勇,盧景霄,馮團(tuán)輝,李瑞,郭敏;用快速光熱退火制備多晶硅薄膜的研究[J];人工晶體學(xué)報(bào);2005年02期

8 黃園媛;石培培;牛巧利;章勇;;金屬鎳誘導(dǎo)p型多晶硅薄膜的光電性能研究[J];功能材料與器件學(xué)報(bào);2011年04期

9 王嵐,劉雅言;雜質(zhì)分布對多晶硅薄膜電性能的影響[J];真空科學(xué)與技術(shù);1998年03期

10 劉傳珍,楊柏梁,張玉,李牧菊,吳淵,廖燕平,王大海,邱法斌,李軼華,黃錫珉;金屬誘導(dǎo)法低溫多晶硅薄膜的制備與研究[J];液晶與顯示;2000年04期

相關(guān)會議論文 前2條

1 宋莎莎;李緒奇;;電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積法制備多晶硅薄膜[A];第十六屆全國等離子體科學(xué)技術(shù)會議暨第一屆全國等離子體醫(yī)學(xué)研討會會議摘要集[C];2013年

2 祁菁;賀德衍;;AlCl_3誘導(dǎo)晶化法制備多晶硅薄膜[A];第十六屆全國半導(dǎo)體物理學(xué)術(shù)會議論文摘要集[C];2007年

相關(guān)博士學(xué)位論文 前2條

1 唐正霞;鋁誘導(dǎo)多晶硅薄膜的制備、性能及生長機(jī)理研究[D];南京航空航天大學(xué);2010年

2 張宇翔;太陽能電池用多晶硅薄膜的制備研究[D];鄭州大學(xué);2005年

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前9條

1 王高飛;鋁誘導(dǎo)對多晶硅生長的影響[D];湖南師范大學(xué);2015年

2 朱晨光;多晶硅薄膜中納米天線場增強(qiáng)效應(yīng)的研究[D];北京郵電大學(xué);2011年

3 張良艷;金屬誘導(dǎo)多晶硅薄膜制備與研究[D];電子科技大學(xué);2010年

4 陳海力;制備工藝對鋁誘導(dǎo)多晶硅薄膜性能影響的研究[D];南京航空航天大學(xué);2011年

5 劉韶華;熱絲化學(xué)氣相沉積制備多晶硅薄膜的研究[D];大連理工大學(xué);2006年

6 方茹;基于納米硅鋁誘導(dǎo)的多晶硅薄膜制備與性能研究[D];南京航空航天大學(xué);2012年

7 王建軍;鋁誘導(dǎo)法制備多晶硅薄膜研究[D];陜西師范大學(xué);2007年

8 馮團(tuán)輝;固相晶化法（SPC）制備多晶硅薄膜的研究[D];鄭州大學(xué);2005年

9 朱明;等離子體輔助磁控濺射制備多晶硅薄膜[D];大連理工大學(xué);2012年

，

本文編號：1675113